電致發(fā)光 (EL) 成像分析：通過(guò)EL測(cè)試觀察測(cè)試后電池片是否存在裂紋、黑心、黑邊等缺陷，這些缺陷常與PID效應(yīng)關(guān)聯(lián)。

檢測(cè)儀器

進(jìn)行PID測(cè)試需要專業(yè)的設(shè)備和環(huán)境控制系統(tǒng)：

恒溫恒濕試驗(yàn)箱 (Environmental Chamber)：核心設(shè)備，需精確控制內(nèi)部環(huán)境為高溫高濕狀態(tài)（如85°C ± 2°C / 85% RH ± 5% RH）。

高壓直流電源 (High Voltage DC Power Supply)：提供測(cè)試所需的穩(wěn)定高負(fù)偏壓（通常為-1000V ± 15V，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)或客戶要求），并能精確控制和記錄電壓、電流。

組件接線裝置 (Jig/Fixture)：用于可靠地將組件輸出端（通常是正極）連接到高壓電源的負(fù)極，并將組件邊框或鋁框接地（或連接到高壓電源正極），形成回路。

電子負(fù)載/太陽(yáng)能模擬器 (Electronic Load / Solar Simulator)：用于在測(cè)試前、后以及中間過(guò)程測(cè)量組件的I-V特性曲線和關(guān)鍵電性能參數(shù)（Pmax, Voc, Isc, FF）。

絕緣電阻測(cè)試儀 (Insulation Resistance Tester/Megohmmeter)：用于測(cè)量組件引出端與邊框/框架之間的絕緣電阻。

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) (Data Acquisition System, DAQ)：實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄環(huán)境參數(shù)（溫度、濕度）、施加電壓、漏電流等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

電致發(fā)光 (EL)測(cè)試儀：用于測(cè)試前后對(duì)組件進(jìn)行EL成像，檢測(cè)潛在缺陷。

檢測(cè)方法

標(biāo)準(zhǔn)的PID測(cè)試方法通常遵循以下主要步驟（以IEC 62804-1為例）：

1. 預(yù)處理與初始測(cè)量： 將待測(cè)組件在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件（STC）或特定條件下（如25°C）進(jìn)行I-V特性測(cè)試和EL成像，記錄初始Pmax及其他參數(shù)。測(cè)量絕緣電阻。

2. 連接與放置： 使用專用夾具將組件輸出端（正極）連接到高壓電源的負(fù)極，將組件的金屬邊框或指定接地點(diǎn)連接到高壓電源的正極（施加負(fù)偏壓于內(nèi)部電路）。確保連接可靠。將連接好的組件放入恒溫恒濕試驗(yàn)箱內(nèi)。

3. 環(huán)境設(shè)定與偏壓施加： 將試驗(yàn)箱設(shè)定至目標(biāo)測(cè)試條件（通常是85°C, 85% RH）。待溫濕度穩(wěn)定后，施加規(guī)定的負(fù)偏壓（如IEC 62804-1: 2023 類型1 方法為 -1000V ±15V）。開(kāi)始計(jì)時(shí)。

4. 持續(xù)測(cè)試與監(jiān)控： 在規(guī)定的測(cè)試時(shí)長(zhǎng)（通常為96小時(shí)或48小時(shí)，具體依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議）內(nèi)，保持恒定的溫濕度和電壓，并持續(xù)監(jiān)控環(huán)境參數(shù)、施加電壓和漏電流。

5. 中間測(cè)量（可選）： 某些測(cè)試程序要求在測(cè)試過(guò)程中取出組件進(jìn)行中間I-V測(cè)試和/或EL檢查（需注意取出和恢復(fù)過(guò)程對(duì)環(huán)境穩(wěn)定性的影響）。

6. 測(cè)試結(jié)束與恢復(fù)： 達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，先關(guān)閉高壓電源，再將組件從試驗(yàn)箱中取出。讓組件在標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境（如25°C, <50% RH）下恢復(fù)至少2小時(shí)。

7. 最終測(cè)量： 在恢復(fù)后進(jìn)行最終的I-V特性測(cè)試（STC條件下）、EL成像和絕緣電阻測(cè)試。

8. 數(shù)據(jù)分析與判定： 計(jì)算最大功率衰減率（(Pmax_initial - Pmax_final) / Pmax_initial * 100%）。分析絕緣電阻變化、EL圖像差異及功率恢復(fù)情況。根據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范判定組件是否通過(guò)PID測(cè)試。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

電位誘導(dǎo)衰減試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化確保了測(cè)試結(jié)果的可比性和可靠性。國(guó)際上廣泛認(rèn)可的主要標(biāo)準(zhǔn)有：

1. IEC 62804-1:2023： 《光伏組件 - 電位誘導(dǎo)衰減測(cè)試方法 - 第1部分：晶體硅》 這是目前最核心的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了晶體硅光伏組件（包括單晶和多晶）PID測(cè)試的兩種方法（類型1：96小時(shí)/-1000V；類型2：48小時(shí)/-1500V）以及詳細(xì)的測(cè)試流程、環(huán)境條件、判定要求（如I級(jí)要求最大功率衰減≤5%）。

2. UL 61730-2 (Annex H)： 《光伏組件安全鑒定 - 第2部分：試驗(yàn)要求》 該標(biāo)準(zhǔn)將PID測(cè)試作為評(píng)估組件長(zhǎng)期安全可靠性的重要試驗(yàn)之一，其測(cè)試條件（如85°C/85% RH/-1000V/96小時(shí)）與IEC 62804-1類型1一致。

3. GB/T 38911-2020： 《光伏用玻璃 電位誘導(dǎo)衰減耐受性能測(cè)試方法》 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，雖然主要針對(duì)封裝玻璃對(duì)PID的耐受性，但其測(cè)試原理和環(huán)境條件與組件PID測(cè)試高度相關(guān)。

4. 行業(yè)規(guī)范及客戶特定要求： 許多大型電站投資者、EPC或組件買家會(huì)基于IEC標(biāo)準(zhǔn)制定更嚴(yán)格的內(nèi)部規(guī)范或采購(gòu)協(xié)議，例如要求更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間（如192小時(shí)）、更低的衰減率閾值（如≤2%）或額外的恢復(fù)性能要求。

這些標(biāo)準(zhǔn)不僅規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試條件（溫濕度、電壓、時(shí)間）和合格判據(jù)（通常要求最大功率衰減率不超過(guò)5%），還詳細(xì)描述了測(cè)試設(shè)備的精度要求、樣品準(zhǔn)備、測(cè)量程序等，為客觀評(píng)價(jià)組件的抗PID性能提供了依據(jù)。選擇遵循哪個(gè)標(biāo)準(zhǔn)通常取決于目標(biāo)市場(chǎng)、客戶要求或認(rèn)證需求。

檢測(cè)機(jī)構(gòu)資質(zhì)證書

CMA認(rèn)證

檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)資質(zhì)認(rèn)定證書

證書編號(hào)：241520345370

有效期至：2030年4月15日

CNAS認(rèn)可

實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書

證書編號(hào)：CNAS L22006

有效期至：2030年12月1日

ISO認(rèn)證

質(zhì)量管理體系認(rèn)證證書

證書編號(hào)：ISO9001-2024001

有效期至：2027年12月31日

關(guān)于我們

部分儀器

合作客戶