電磁屏蔽室與半電波暗室檢測(cè)概述

電磁屏蔽室和半電波暗室是現(xiàn)代電子設(shè)備研發(fā)、電磁兼容性（EMC）測(cè)試、產(chǎn)品認(rèn)證及科學(xué)研究中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)施。電磁屏蔽室的主要功能是隔離外部電磁環(huán)境干擾，提供純凈的測(cè)試背景；而半電波暗室則在屏蔽室基礎(chǔ)上內(nèi)壁鋪設(shè)吸波材料，模擬自由空間環(huán)境，用于輻射發(fā)射和輻射抗擾度測(cè)試。為確保這些設(shè)施的性能穩(wěn)定可靠，滿(mǎn)足嚴(yán)格的測(cè)試要求，定期進(jìn)行專(zhuān)業(yè)、全面的檢測(cè)至關(guān)重要。檢測(cè)的核心目標(biāo)在于驗(yàn)證屏蔽效能是否符合設(shè)計(jì)指標(biāo)，確保場(chǎng)地性能滿(mǎn)足國(guó)際/國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求，從而保障測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可信度，為產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)準(zhǔn)入奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。因此，建立科學(xué)、規(guī)范的檢測(cè)流程至關(guān)重要。

核心檢測(cè)項(xiàng)目

針對(duì)電磁屏蔽室和半電波暗室，關(guān)鍵的檢測(cè)項(xiàng)目聚焦于其核心性能指標(biāo)：

• 電磁屏蔽效能： 這是屏蔽室的核心指標(biāo)。檢測(cè)需覆蓋從低頻（如DC, 50/60Hz工頻）到高頻（如10GHz或更高）的寬頻段范圍，評(píng)估屏蔽體對(duì)電場(chǎng)、平面波和磁場(chǎng)的衰減能力，檢測(cè)門(mén)、通風(fēng)波導(dǎo)、濾波器、接口板等關(guān)鍵部位的屏蔽性能。

• 歸一化場(chǎng)地衰減： 這是評(píng)估半電波暗室電波傳播特性的核心指標(biāo)。檢測(cè)在特定頻點(diǎn)（如CISPR 16-1-4規(guī)定的16或更多頻點(diǎn)）上，實(shí)際測(cè)量的場(chǎng)地衰減與理想自由空間場(chǎng)地衰減理論值之間的偏差，需滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)（如±4dB或±6dB）要求。

• 場(chǎng)地電壓駐波比： 主要在半電波暗室中檢測(cè)，評(píng)估吸波材料對(duì)入射波的反射性能以及場(chǎng)地反射的均勻性，直接影響輻射測(cè)試的精度。

• 背景噪聲： 在屏蔽室和暗室內(nèi)，測(cè)量關(guān)閉EUT（受試設(shè)備）情況下本底的電磁噪聲水平，確保其遠(yuǎn)低于EUT的發(fā)射限值或測(cè)試要求的閾值。

• 場(chǎng)均勻性： 對(duì)于輻射抗擾度測(cè)試用暗室（如3m法，10m法），需在規(guī)定的測(cè)試區(qū)域（假想的垂直平面）上檢測(cè)場(chǎng)強(qiáng)的均勻性，以滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)（如IEC 61000-4-3）規(guī)定的公差范圍。

• 屏蔽體完整性： 檢查屏蔽殼體、接縫、焊接點(diǎn)、門(mén)密封接觸條等是否存在物理?yè)p傷、銹蝕或老化，確保結(jié)構(gòu)的完整性和密封性。

主要檢測(cè)儀器

完成上述檢測(cè)項(xiàng)目需要依賴(lài)專(zhuān)業(yè)、精密的儀器設(shè)備：

• 信號(hào)源/射頻合成器： 產(chǎn)生所需頻率和功率的測(cè)試信號(hào)。

• 頻譜分析儀/接收機(jī)： 核心測(cè)量設(shè)備，用于測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度、噪聲水平、場(chǎng)地衰減等。需具備足夠的動(dòng)態(tài)范圍、頻率覆蓋范圍和測(cè)量精度，需符合CISPR 16-1-1等標(biāo)準(zhǔn)要求。

• 發(fā)射天線(xiàn)： 用于產(chǎn)生測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)的天線(xiàn)，類(lèi)型多樣（如雙錐天線(xiàn)、對(duì)數(shù)周期天線(xiàn)、喇叭天線(xiàn)、環(huán)天線(xiàn)等），需根據(jù)測(cè)試頻率和項(xiàng)目選擇。

• 接收天線(xiàn)/探頭： 用于測(cè)量場(chǎng)強(qiáng)的天線(xiàn)或探頭（如電場(chǎng)探頭、磁場(chǎng)探頭），其校準(zhǔn)系數(shù)至關(guān)重要。

• 功率放大器： 在輻射抗擾度場(chǎng)均勻性測(cè)試或大信號(hào)屏蔽效能測(cè)試中，用于放大信號(hào)源輸出，驅(qū)動(dòng)發(fā)射天線(xiàn)產(chǎn)生足夠強(qiáng)的場(chǎng)強(qiáng)。

• 網(wǎng)絡(luò)分析儀： 可用于精確測(cè)量屏蔽效能（替代法）以及某些特定接口的傳輸損耗。

• 低頻磁場(chǎng)源及接收探頭： 專(zhuān)門(mén)用于低頻磁場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試。

• 場(chǎng)強(qiáng)計(jì)/場(chǎng)強(qiáng)探頭： 用于輻射抗擾度測(cè)試中的場(chǎng)強(qiáng)監(jiān)測(cè)和場(chǎng)均勻性測(cè)量。

• 衰減器、電纜、轉(zhuǎn)接頭等輔助設(shè)備： 構(gòu)成完整測(cè)試鏈路。

核心檢測(cè)方法

檢測(cè)方法需嚴(yán)格遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：

• 屏蔽效能檢測(cè)：

  • 直接法（大信號(hào)法）： 在屏蔽室外由信號(hào)源和發(fā)射天線(xiàn)產(chǎn)生強(qiáng)場(chǎng)，在屏蔽室內(nèi)用接收天線(xiàn)/探頭和接收機(jī)測(cè)量穿透場(chǎng)強(qiáng)。適用于較高頻段。

  • 替代法（小信號(hào)法）： 利用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量信號(hào)通過(guò)屏蔽壁上的同軸接口（如穿心電容）的傳輸損耗（S21參數(shù)），推算屏蔽效能。適用于較高頻段點(diǎn)頻測(cè)量。

  • 低頻磁場(chǎng)法： 使用標(biāo)準(zhǔn)環(huán)狀磁場(chǎng)源置于屏蔽壁外側(cè)，在壁內(nèi)側(cè)用磁環(huán)探頭或小環(huán)接收天線(xiàn)測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減。用于評(píng)估低頻（如DC-100kHz）屏蔽性能。

• 歸一化場(chǎng)地衰減檢測(cè)： 按照CISPR 16-1-4或ANSI C63.4等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法布置發(fā)射天線(xiàn)和接收天線(xiàn)（水平和垂直極化），在特定高度和位置掃描測(cè)量。實(shí)測(cè)場(chǎng)地衰減需結(jié)合天線(xiàn)系數(shù)進(jìn)行歸一化計(jì)算，并與理論值比較。

• 場(chǎng)地電壓駐波比檢測(cè)： 固定發(fā)射天線(xiàn)位置（通常在轉(zhuǎn)臺(tái)中心），在接收天線(xiàn)的多個(gè)位置（通常在靜區(qū)邊界）測(cè)量場(chǎng)強(qiáng)值，計(jì)算最大值與最小值的比值（即SVSWR）。

• 場(chǎng)均勻性檢測(cè)： 在規(guī)定的測(cè)試平面上（如1.5m x 1.5m），按標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)格點(diǎn)（如16點(diǎn)）布置場(chǎng)強(qiáng)探頭。在特定頻點(diǎn)施加場(chǎng)強(qiáng)，記錄每個(gè)點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)值，計(jì)算所有點(diǎn)中75%的點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于參考值（通常是中心點(diǎn)或平均值）的偏差是否在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的公差（如0~ +6dB）內(nèi)。

• 背景噪聲檢測(cè)： 在暗室/屏蔽室關(guān)閉且無(wú)EUT情況下，使用接收天線(xiàn)和接收機(jī)/頻譜儀掃描整個(gè)測(cè)試頻段，記錄本底噪聲頻譜。

關(guān)鍵檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

檢測(cè)活動(dòng)必須依據(jù)國(guó)際、國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，確保結(jié)果的可比性和權(quán)威性：

• 電磁屏蔽效能：

  • GB/T 12190-2006 《電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法》 (中國(guó)標(biāo)準(zhǔn))
  • MIL-STD-285 (歷史軍用標(biāo)準(zhǔn)，仍有參考價(jià)值)
  • IEEE Std 299.1?-2013 《IEEE Standard Method for Measuring the Shielding Effectiveness of Enclosures and Boxes Having all Dimensions between 0.1 m and 2 m》
  • IEEE Std 299?-2006 《IEEE Standard Method for Measuring the Effectiveness of Electromagnetic Shielding Enclosures》 (針對(duì)大型屏蔽室)
  • ASTM ES-7 (美國(guó)材料試驗(yàn)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn))

• 歸一化場(chǎng)地衰減：

  • CISPR 16-1-4:2019+AMD1:2020 《Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antennas and test sites for radiated disturbance measurements》 (國(guó)際標(biāo)準(zhǔn))
  • ANSI C63.4-2014 《American National Standard for Methods of Measurement of Radio-Noise Emissions from Low-Voltage Electrical and Electronic Equipment in the Range of 9 kHz to 40 GHz》 (美國(guó)標(biāo)準(zhǔn))
  • GB 9254-2008 《信息技術(shù)設(shè)備的無(wú)線(xiàn)電騷擾限值和測(cè)量方法》(等同采用CISPR 22，場(chǎng)地要求參考CISPR 16-1-4) (中國(guó)強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn))
  • GB/T 6113.104-2016 《無(wú)線(xiàn)電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范 第1-4部分：無(wú)線(xiàn)電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備 輻射騷擾測(cè)量用天線(xiàn)和試驗(yàn)場(chǎng)地》 (等同采用CISPR 16-1-4) (中國(guó)推薦標(biāo)準(zhǔn))

    檢測(cè)機(jī)構(gòu)資質(zhì)證書(shū)

    

    CMA認(rèn)證

    檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)資質(zhì)認(rèn)定證書(shū)

    證書(shū)編號(hào)：241520345370

    有效期至：2030年4月15日

    

    CNAS認(rèn)可

    實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書(shū)

    證書(shū)編號(hào)：CNAS L22006

    有效期至：2030年12月1日

    

    ISO認(rèn)證

    質(zhì)量管理體系認(rèn)證證書(shū)

    證書(shū)編號(hào)：ISO9001-2024001

    有效期至：2027年12月31日