中析研究所材料檢測中心可對給多晶硅進(jìn)行檢測，包括多晶硅太陽能電池，光伏多晶硅，電子級多晶硅，多晶硅板，多晶硅錠等，是國內(nèi)第三方給多晶硅檢測機(jī)構(gòu)，檢測項(xiàng)目包括純度，性能檢測，質(zhì)量檢測，電阻率，雜質(zhì)檢測，碳含量等， 是具備資質(zhì)認(rèn)證的多晶硅檢測機(jī)構(gòu)，可出具給多晶硅檢測報(bào)告。
檢測范圍
多晶硅太陽能電池，光伏多晶硅，電子級多晶硅，多晶硅板，多晶硅錠，低溫多晶硅，多晶硅棒，高純多晶硅、多晶硅薄膜膠片、基于超高壓多晶硅電阻的保護(hù)電路及開關(guān)電源、高遷移率的p型多晶硅柵LDMOS器件、磷摻雜多晶硅膜、具有三重多晶硅柵聯(lián)合圓柱形JLT器件等。
檢測項(xiàng)目
純度，性能檢測，質(zhì)量檢測，電阻率，雜質(zhì)檢測，碳含量，含量檢測等。
項(xiàng)目名稱：多晶硅
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 1551-2009
參數(shù)列表
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1 |
電阻率 |
GB/T 1551-2009 |
硅單晶電阻率測定方法 |
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2 |
導(dǎo)電類型 |
GB/T 1550-2018 |
非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法 |
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3 |
少子壽命 |
GB/T 1553-2009 |
硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定 光電導(dǎo)衰減法 |
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4 |
B,P,Al,Sb,Ga,As |
GB/T 24581-2009 |
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的標(biāo)準(zhǔn)方法 |
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5 |
間隙氧含量 |
GB/T 1557-2018 |
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 |
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6 |
代位碳含量 |
GB/T 1558-2009 |
硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法 |
多晶硅檢測標(biāo)準(zhǔn)：
1GB/T 12963-2014電子級多晶硅
2GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物
3GB/T 24582-2009酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
4GB/T 25074-2017太陽能級多晶硅
5GB/T 29054-2012太陽能級鑄造多晶硅塊
6GB/T 29055-2012太陽電池用多晶硅片
9GB/T 32652-2016多晶硅鑄錠石英坩堝用熔融石英料
10GB/T 33236-2016多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法
多晶硅檢測流程
1、郵寄樣品或上門取樣。
2、收到樣品后工程師免費(fèi)初檢。
3、根據(jù)檢測項(xiàng)目和檢測方法進(jìn)行報(bào)價(jià)。
4、支付檢測費(fèi)用，開展實(shí)驗(yàn)。
5、完成實(shí)驗(yàn)，分析檢測數(shù)據(jù)。
6、郵寄檢測報(bào)告，后期技術(shù)支持。
中析研究所給多晶硅檢測有哪些優(yōu)勢?
1、中析研究所給多晶硅檢測期短、費(fèi)用低、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。
2、進(jìn)口檢測設(shè)備，博士研究生為主的工程師團(tuán)隊(duì)。
3、支持上門取樣，寄樣檢測。
4，工程師免費(fèi)提供技術(shù)支持。
5，多家分支實(shí)驗(yàn)室，支持上門取樣或寄送樣品。
CMA認(rèn)證
檢驗(yàn)檢測機(jī)構(gòu)資質(zhì)認(rèn)定證書
證書編號：241520345370
有效期至：2030年4月15日
CNAS認(rèn)可
實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書
證書編號：CNAS L22006
有效期至：2030年12月1日
ISO認(rèn)證
質(zhì)量管理體系認(rèn)證證書
證書編號：ISO9001-2024001
有效期至：2027年12月31日
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